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      半導(dǎo)體制造中的許多工藝是在非常高的溫度和極具腐蝕性的環(huán)境中進(jìn)行的，其制程必須在高溫潔凈無塵環(huán)境下作業(yè)，高純超細(xì)高強(qiáng)度等靜壓石墨具有耐高溫、導(dǎo)熱性優(yōu)良、抗熱振性好、熱膨脹系數(shù)低、抗折和抗壓強(qiáng)度高、化學(xué)性能穩(wěn)定等特性，成為半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的材料。用于半導(dǎo)體晶體生長、外延生長、氣相沉積碳化硅、離子注入、等離子蝕刻等制造工藝中，其主要應(yīng)用如下：

      ①單晶硅拉晶爐的發(fā)熱體及坩堝， 導(dǎo)流筒等

      ② 第三代半導(dǎo)體SiC的晶體生長爐的發(fā)熱體

      ③ MOCVD中的石墨基座

      ④ 硅外延EPI工藝中基座